技术要求
1.材料：锗，光学级晶体，电阻率≥100Ω·cm；
2.表面质量：40/20(MIL13830B)，镀金区：20/10；增透膜区:20/7.5；
3.平面度：<5N@633nm；
4.平行度：<2’；
5.倒边：<0.2*45°，无划伤、无破边；
6.光学镀膜：双面镀增透膜，7.5-14μm Tavg≥90%，1-6.8μm T<1%；
7.▓区域为金属化区域，具体要求为:
7.1锗窗(出射面)边缘环带金属化，该区域镀制金属薄膜必须直接镀制在锗基材上，也就是，如果光学薄膜镀制工艺在金属化膜层镀制之前完成，那么光学薄膜镀制必须保证这个区域是被遮住的，没有任何光学薄膜材料镀制在该区域内；
7.2金属镀层结构为Cr(底层)：50~100nm/Ni(中间层)：400~500nm/Au(表层)：300~400mm或者与此相当的具有良好焊接性能的金属膜层结构（各金属膜层厚度也可按照供应商同类基材与比较成熟的膜层结构来镀制，但必须保证金属化膜层结构有良好的合金焊料可焊性和气密性，金属膜无分层、无起皮、无变色、无划痕、无污垢等）
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